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集成電路封裝可靠性技術(shù)

集成電路封裝可靠性技術(shù)

定 價:¥198.00

作 者: 周斌
出版社: 電子工業(yè)出版社
叢編項:
標 簽: 暫缺

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ISBN: 9787121461514 出版時間: 2023-11-01 包裝: 平塑
開本: 頁數(shù): 字數(shù):  

內(nèi)容簡介

  集成電路被稱為電子產(chǎn)品的"心臟”,是所有信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心;集成電路封裝技術(shù)是將集成電路"打包”的技術(shù),已成為"后摩爾時代”的重要技術(shù)手段;集成電路封裝可靠性技術(shù)是集成電路乃至電子整機可靠性的基礎(chǔ)和核心。集成電路失效,約一半是由封裝失效引起的,封裝可靠性已成為人們普遍關(guān)注的焦點。本書在介紹集成電路封裝技術(shù)分類和封裝可靠性表征技術(shù)的基礎(chǔ)上,分別從塑料封裝、氣密封裝的產(chǎn)品維度和熱學、力學的應力維度,描述了集成電路封裝的典型失效模式、失效機理和物理特性;結(jié)合先進封裝結(jié)構(gòu)特點,介紹了與封裝相關(guān)的失效分析技術(shù)和質(zhì)量可靠性評價方法;從材料、結(jié)構(gòu)和應力三個方面,描述了集成電路的板級組裝可靠性。本書旨在為希望了解封裝可靠性技術(shù)的人們打開一扇交流的窗口,在集成電路可靠性與電子產(chǎn)品可靠性之間搭建一座溝通的橋梁。 本書主要供從事電子元器件、電子封裝,以及與電子整機產(chǎn)品研究、設(shè)計、生產(chǎn)、測試、試驗相關(guān)的工程技術(shù)人員及管理人員閱讀,也可作為各類高等院校相關(guān)專業(yè)的教學參考書

作者簡介

  周斌,博士,工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員,國家級重點實驗室副總工程師,國防科工局優(yōu)秀中青年,中國電子學會優(yōu)秀科技工作者。主要從事裸芯片KGD、先進封裝及微系統(tǒng)可靠性和熱管理技術(shù)研究。承擔國家核心產(chǎn)品攻關(guān)重大專項、國防基礎(chǔ)科研重點項目、預研、質(zhì)量攻關(guān)等項目20余項,研制開發(fā)了多通道互聯(lián)電阻在線監(jiān)測系統(tǒng)、多熱源紅外發(fā)射率校正及測溫系統(tǒng)和可靠性仿真評價軟件等5臺/套軟硬件成果。獲國防科技進步二等獎4項,國防科技創(chuàng)新團隊獎和中國電子信息科技創(chuàng)新團隊獎各1項,發(fā)表SCI/EI論文49篇,授權(quán)發(fā)明專利8項,合作出版編著2本,譯著1本。

圖書目錄

第1章 集成電路封裝技術(shù)及可靠性概述 1
1.1 封裝技術(shù)發(fā)展概況 1
1.1.1 集成電路封裝功能 1
1.1.2 集成電路常見封裝類型 2
1.1.3 集成電路封裝技術(shù)發(fā)展趨勢 10
1.2 封裝技術(shù)與可靠性的關(guān)系 17
1.2.1 封裝熱性能與可靠性 17
1.2.2 封裝機械性能與機械環(huán)境適應性 18
1.2.3 封裝氣密性與潮濕環(huán)境適應性 18
1.2.4 封裝材料與電磁干擾 19
1.2.5 封裝材料與抗輻射性能 20
1.3 封裝可靠性技術(shù)及其發(fā)展 21
1.3.1 集成電路封裝可靠性 21
1.3.2 集成電路封裝失效機理研究 22
1.3.3 集成電路封裝可靠性技術(shù)發(fā)展 23
參考文獻 26
第2章 集成電路封裝物理特性及可靠性表征 29
2.1 物理特性表征及標準要求 29
2.1.1 常規(guī)物理特性 29
2.1.2 特殊物理特性 47
2.1.3 錫須生長特性 49
?
2.2 可靠性表征及標準要求 52
2.2.1 封裝失效率 52
2.2.2 封裝耗損壽命 54
2.2.3 失效率和壽命標準要求 55
2.3 環(huán)境適應性表征及標準要求 57
2.3.1 高溫環(huán)境適應性 57
2.3.2 溫變環(huán)境適應性 57
2.3.3 機械環(huán)境適應性 57
2.3.4 環(huán)境適應性標準要求 58
參考文獻 60
第3章 塑料封裝的失效模式、失效機理及可靠性 62
3.1 塑料封裝的可靠性概述 62
3.2 塑料封裝的失效模式和失效機理 63
3.2.1 塑封料相關(guān)的失效模式和失效機理 63
3.2.2 封裝界面相關(guān)的失效模式和失效機理 65
3.2.3 倒裝封裝相關(guān)的失效模式和失效機理 67
3.2.4 鍵合退化相關(guān)的失效模式和失效機理 67
3.3 塑料封裝的檢測分析 73
3.3.1 模塑料的檢測分析 73
3.3.2 封裝界面分層的檢測方法 76
3.3.3 封裝界面熱阻及芯片紅外熱成像檢測方法 81
3.3.4 封裝微變形檢測技術(shù) 82
3.4 應力和可靠性 86
3.4.1 塑料封裝的濕-熱-機械可靠性 86
3.4.2 SiP封裝的應力和可靠性 98
3.4.3 WLCSP封裝的應力和可靠性 99
3.5 塑料封裝典型失效案例 103
3.5.1 濕氣侵入導致的腐蝕 103
3.5.2 高溫導致的孔洞及鍵合退化 104
參考文獻 105
第4章 氣密封裝的失效模式、失效機理及可靠性 108
4.1 氣密封裝的結(jié)構(gòu)特點 108
4.2 氣密封裝的失效模式和失效機理 110
4.2.1 粒子污染 111
4.2.2 熱-機械應力 111
4.2.3 水汽/氣體吸收 113
4.3 氣密封裝的性能檢測 114
4.3.1 氣密性的檢測 114
4.3.2 鍵合性能的檢測 117
4.3.3 多余物的檢測 119
4.3.4 其他性能檢測 119
4.4 應力和可靠性 121
4.4.1 氣密封裝可靠性評價方法 122
4.4.2 潮濕與溫度綜合載荷下的氣密性退化特征 124
4.4.3 高溫載荷下粘接劑釋氣規(guī)律 125
4.4.4 高頻振動載荷下的脆性斷裂 127
4.5 氣密封裝典型失效案例 128
4.5.1 HIC金屬-玻璃封接界面間歇滲漏退化機理分析 128
4.5.2 氣密蓋板的隨機振動非接觸在線監(jiān)測 130
參考文獻 133
第5章 3D封裝的失效模式、失效機理及可靠性 136
5.1 3D封裝的發(fā)展歷程與主流技術(shù) 136
5.2 3D封裝的主要結(jié)構(gòu)特征 138
5.2.1 3D芯片疊層結(jié)構(gòu) 138
5.2.2 3D封裝疊層結(jié)構(gòu) 141
5.2.3 3D TSV封裝結(jié)構(gòu) 142
5.3 3D封裝的失效模式和失效機理 143
5.3.1 3D封裝常見失效模式 143
5.3.2 3D封裝失效機理 150
5.4 3D封裝技術(shù)的可靠性 151
5.4.1 3D芯片疊層技術(shù)的可靠性 151
5.4.2 3D封裝疊層技術(shù)的可靠性 153
5.4.3 3D TSV封裝技術(shù)的可靠性 159
5.5 3D封裝典型失效案例 168
5.5.1 CoWoS 3D封裝結(jié)構(gòu)失效案例 168
5.5.2 扇出型封裝失效案例 172
5.5.3 TSV結(jié)構(gòu)失效案例 175
參考文獻 180
第6章 集成電路封裝熱性能及分析技術(shù) 185
6.1 集成電路熱效應 185
6.1.1 集成電路熱問題 185
6.1.2 集成電路熱效應分類 186
6.2 封裝熱分析理論基礎(chǔ) 189
6.2.1 熱傳導 189
6.2.2 對流換熱 191
6.2.3 輻射換熱 192
6.3 熱致封裝相關(guān)失效模式 193
6.3.1 溫度與器件封裝失效的相關(guān)性 194
6.3.2 熱失配引起的開裂失效 195
6.3.3 熱疲勞引起的開裂失效 197
6.3.4 高溫引起的蠕變失效 197
6.3.5 高溫引起的互連退化失效 198
6.3.6 芯片過熱燒毀 200
6.4 集成電路封裝主要熱性能 201
6.4.1 穩(wěn)態(tài)熱阻 202
6.4.2 熱特性參數(shù) 207
6.4.3 瞬態(tài)熱阻抗 209
6.4.4 比熱容與結(jié)構(gòu)函數(shù) 212
6.4.5 主要熱測試和分析標準 213
6.5 封裝熱分析技術(shù) 216
6.5.1 主要熱分析方法及對比 216
6.5.2 電學法 218
6.5.3 紅外法 220
6.5.4 拉曼散射法 223
6.5.5 熱反射法 226
6.6 封裝熱性能的主要影響因素 228
6.6.1 封裝材料 228
6.6.2 封裝尺寸 228
6.6.3 芯片尺寸 229
6.6.4 器件熱耗散量 229
6.6.5 氣流速度 230
6.6.6 板的尺寸和熱導率 231
6.7 微流道熱特性及熱管理 231
6.7.1 微流道技術(shù)及換熱效率 232
6.7.2 微流道熱管理 233
6.8 疊層芯片封裝熱分析及結(jié)溫預測案例[62] 235
6.8.1 熱測試疊層芯片及測試板設(shè)計 235
6.8.2 基于溫敏電阻的疊層芯片溫度測試 236
6.8.3 基于有限元仿真的疊層芯片熱分析 238
6.8.4 疊層芯片溫度預測模型及驗證 240
參考文獻 246
第7章 集成電路封裝力學特性與試驗 251
7.1 集成電路封裝力學特性 251
7.1.1 封裝各類力學問題 251
7.1.2 封裝主要力學特性 252
7.1.3 封裝力學失效及預防 257
7.2 集成電路封裝力學試驗 266
7.2.1 封裝常規(guī)力學試驗 266
7.2.2 封裝新型力學試驗 268
7.3 集成電路封裝力學典型案例 273
7.3.1 封裝蓋板振動特性案例 273
7.3.2 高密度鍵合引線碰絲案例 279
參考文獻 286
第8章 集成電路封裝失效分析技術(shù) 288
8.1 封裝失效分析的主要內(nèi)容 288
8.2 封裝失效分析程序 289
8.3 非破壞性失效分析技術(shù) 292
8.3.1 外觀分析技術(shù) 292
8.3.2 X射線顯微透視分析技術(shù) 294
8.3.3 掃描聲學顯微分析技術(shù) 296
8.3.4 粒子碰撞噪聲檢測技術(shù) 298
8.3.5 氦質(zhì)譜檢漏分析技術(shù) 299
8.4 破壞性失效分析技術(shù) 300
8.4.1 開封及顯微制樣技術(shù) 300
8.4.2 內(nèi)部氣氛分析技術(shù) 301
8.4.3 掃描電子顯微分析技術(shù) 302
8.4.4 透射電子顯微分析技術(shù) 303
8.4.5 聚焦離子束缺陷分析技術(shù) 306
8.5 3D封裝失效分析新技術(shù) 308
8.5.1 3D X射線分析技術(shù) 308
8.5.2 磁顯微分析技術(shù) 311
8.5.3 同步熱發(fā)射分析技術(shù) 314
8.6 集成電路封裝故障樹分析 317
8.6.1 集成電路封裝故障樹分析方法 317
8.6.2 集成電路封裝故障樹分析應用 318
參考文獻 320
第9章 集成電路封裝質(zhì)量和可靠性保證技術(shù) 325
9.1 封裝質(zhì)量檢測與環(huán)境適應性要求 325
9.1.1 封裝的質(zhì)量檢測要求 325
9.1.2 封裝的環(huán)境適應性要求 329
9.2 質(zhì)量與可靠性分析技術(shù) 333
9.2.1 破壞性物理分析 333
9.2.2 結(jié)構(gòu)分析 339
9.2.3 假冒和翻新分析 342
9.3 加速壽命試驗評估 350
9.3.1 集成電路產(chǎn)品的加速壽命試驗方法 350
9.3.2 封裝中常用的加速及失效模型 354
9.3.3 集成電路封裝的加速壽命試驗案例 356
參考文獻 359
第10章 集成電路板級組裝可靠性 361
10.1 板級組裝工藝與可靠性 361
10.1.1 板級組裝工藝的發(fā)展歷程 362
10.1.2 主流SMT技術(shù) 363
10.1.3 板級組裝可靠性的工藝影響因素 365
10.2 板級焊點的結(jié)構(gòu)及可靠性 367
10.2.1 焊點結(jié)構(gòu)特點分析 367
10.2.2 焊點結(jié)構(gòu)與可靠性 370
10.3 板級焊點的材料及可靠性 379
10.3.1 有鉛焊料組裝的可靠性 379
10.3.2 無鉛焊料組裝的可靠性 382
10.3.3 混裝焊料組裝的可靠性 386
10.4 環(huán)境應力與板級組裝可靠性 392
10.4.1 熱應力與板級組裝可靠性 392
10.4.2 機械應力與板級組裝可靠性 395
10.4.3 電流應力與板級組裝可靠性 399
10.4.4 耦合應力與板級組裝可靠性 402
10.5 板級組裝可靠性的試驗評價 406
10.5.1 板級組裝可靠性的試驗評價方法 406
10.5.2 板級組裝可靠性的評價及失效案例 411
參考文獻 420
縮略語中英文對照表 424

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