半導(dǎo)體器件導(dǎo)論（英文版）

CHAPTER 1 The Crystal Structure of Solids 固體的晶體結(jié)構(gòu)
1.0 PREVIEW 概覽
1.1 SEMICONDUCTOR MATERIALS 半導(dǎo)體材料
1.2 TYPES OF SOLIDS 固體類型
1.3 SPACE LATTICES 空間點陣
1.3.1 Primitive and Unit Cell 原胞與晶胞
1.3.2 Basic Crystal Structures 基本晶體結(jié)構(gòu)
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices 晶面和米勒指數(shù)
1.3.4 The Diamond Structure 金剛石結(jié)構(gòu)
1.4 ATOMIC BONDING 原子價鍵
1.5 IMPERFECTIONS AND IMPURITIES IN SOLIDS 固體中的缺陷和雜質(zhì)
1.5.1 Imperfections in Solids 固體缺陷
1.5.2 Impurities in Solids 固體中的雜質(zhì)
1.6 GROWTH OF SEMICONDUCTOR MATERIALS 半導(dǎo)體材料生長
1.6.1 Growth from a Melt 熔體生長
1.6.2 Epitaxial Growth 外延生長
1.7 DEVICE FABRICATION TECHNIQUES: OXIDATION 器件制備技術(shù)：氧化
1.8 SUMMARY 小結(jié)
PROBLEMS 習(xí)題
CHAPTER 2 Theory of Solids 固體理論
2.0 PREVIEW 概覽
2.1 PRINCIPLES OF QUANTUM MECHANICS 量子力學(xué)的基本原理
2.1.1 Energy Quanta 能量子
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 波粒二象性
2.2 ENERGY QUANTIZATION AND PROBABILITY CONCEPTS 能量量子化和概率
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 波函數(shù)的物理意義
2.2.2 The One-Electron Atom 單電子原子
2.2.3 Periodic Table 元素周期表
2.3 ENERGY-BAND THEORY 能帶理論
2.3.1 Formation of Energy Bands 能帶的形成
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 能帶與價鍵模型
2.3.3 Charge Carriers—Electrons and Holes 載流子——電子和空穴
2.3.4 Effective Mass 有效質(zhì)量
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 金屬、 緣體和半導(dǎo)體
2.3.6 The k-Space Diagram k 空間能帶圖
2.4 DENSITY OF STATES FUNCTION 態(tài)密度函數(shù)
2.5 STATISTICAL MECHANICS 統(tǒng)計力學(xué)
2.5.1 Statistical Laws 統(tǒng)計規(guī)律
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function and the Fermi Energy 費米-狄拉克分布和費米能級
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 麥克斯韋-玻爾茲曼近似
2.6 SUMMARY 小結(jié)
PROBLEMS 習(xí)題
CHAPTER 3 The Semiconductor in Equilibrium 平衡半導(dǎo)體
3.0 PREVIEW 概覽
3.1 CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS 半導(dǎo)體中的載流子
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 電子和空穴的平衡分布
3.1.2 The n0 and p0 Equations 平衡電子和空穴濃度方程
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 本征載流子濃度
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 本征費米能級的位置
3.2 DOPANT ATOMS AND ENERGY LEVELS 摻雜原子與能級