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高頻電子電路S參數(shù)測量與校準技術(shù)

高頻電子電路S參數(shù)測量與校準技術(shù)

定 價:¥320.00

作 者: 郁發(fā)新
出版社: 浙江大學(xué)出版社
叢編項:
標 簽: 暫缺

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ISBN: 9787308239899 出版時間: 2023-11-01 包裝: 平裝-膠訂
開本: 16開 頁數(shù): 346 字數(shù):  

內(nèi)容簡介

  描述傳輸通道頻域特性的散射參數(shù)(scattering parameter,S參數(shù)),用于表征被測器件線性矢量參數(shù)頻率響應(yīng)的幅頻與相頻特性,是高頻電子電路中最基本、最常用的核心指標參數(shù)之一。本書以S參數(shù)測量與校準為切入點,以圖文并茂的方式深入淺出地介紹了S參數(shù)的基本概念與發(fā)展歷史、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀結(jié)構(gòu)與工作原理、性能指標解讀與評判、各種S參數(shù)校準、去嵌方法原理與優(yōu)劣、不確定度分析、自動測試技術(shù)、使用技巧和注意事項、行業(yè)最新發(fā)展動態(tài)等,全面總結(jié)了迄今為止各種S參數(shù)校準、去嵌方法的數(shù)學(xué)原理及該領(lǐng)域多年發(fā)展成果。本書適合進行S參數(shù)測試相關(guān)的專業(yè)人士閱讀使用,也適合作為廣大高等院校相關(guān)專業(yè)學(xué)生以及企業(yè)、研究機構(gòu)相關(guān)專業(yè)人員的參考書。 本書創(chuàng)新點:·以國家戰(zhàn)略需求為導(dǎo)向,直面“卡脖子”痛點和難點·作者權(quán)威,在射頻芯片研究領(lǐng)域深耕多年·代表我國高精度測量領(lǐng)域高精尖技術(shù)前沿

作者簡介

  郁發(fā)新教授浙江大學(xué)航天電子工程研究所所長、博士生導(dǎo)師,國家wr計劃科技領(lǐng)軍人才、國防科技卓越青年人才和國防科技創(chuàng)新團隊牽頭人。在射頻模擬芯片領(lǐng)域具有扎實的理論基礎(chǔ)和豐富的di一線研發(fā)經(jīng)驗,開發(fā)了大量通信、導(dǎo)航、雷達所用的高端射頻模擬芯片,有效支撐了我國多個重點型號的裝備,大力推動了我國高端射頻模擬芯片技術(shù)快速發(fā)展。

圖書目錄

第1章 S參數(shù)及其與其他參數(shù)矩陣問變換關(guān)系
1.1 S參數(shù)定義
1.2 S參數(shù)與Smith圖
1.3 S參數(shù)與X參數(shù)關(guān)系
1.4 其他兩端口矩陣及其與S參數(shù)變換關(guān)系
1.4.1 Z參數(shù)
1.4.2 Y參數(shù)
1.4.3 ABCD參數(shù)
1.4.4 H參數(shù)
1.4.5 T參數(shù)
1.5 各矩陣間變換關(guān)系
1.6 矩陣基本運算
1.7 其他基本數(shù)學(xué)公式
1.7.1 歐拉公式
1.7.2 復(fù)數(shù)根式運算
1.8 本章小結(jié)
參考文獻
第2章 矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀簡介
2.1 矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀關(guān)鍵參數(shù)指標
2.1.1 源參數(shù)指標
2.1.2 接收機參數(shù)指標
2.1.3 綜合指標
2.2 S參數(shù)校準基本過程
2.3 本章小結(jié)
參考文獻
第3章 校準標準件制造與建模
3.1 校準件分類與特點
3.1.1 同軸校準件
3.1.2 矩形波導(dǎo)校準件
3.1.3 在片校準件與射頻探針
3.2 在片校準件制造關(guān)鍵點
3.2.1 襯底材料選擇
3.2.2 負載標準件50Ω電阻 控制
3.2.3 傳輸線特征阻抗50Ω 控制
3.3 校準件質(zhì)量對校準結(jié)果的影響
3.4 校準件數(shù)學(xué)模型
3.5 同軸數(shù)據(jù)基校準件的制備方法
3.6 本章小結(jié)
參考文獻
第4章 信號流圖與常用誤差模型
4.1 信號流圖基本原理
4.1.1 相關(guān)術(shù)語
4.1.2 Mason增益公式
4.2 常用S參數(shù)校準誤差模型
4.2.1 單端口誤差模型
4.2.2 兩端口誤差模型
4.2.3 多端口誤差模型
4.3 本章小結(jié)
參考文獻
第5章 S參數(shù)校準及去嵌原理
5.1 原始數(shù)據(jù)修正
5.1.1 開關(guān)項修正
5.1.2 隔離項修正
5.2 單端口校準方法
5.2.1 OSL校準方法
5.2.2 MOSL與RRR校準方法
5.2.3 OSL去嵌方法
5.3 兩端口校準方法
5.3.1 SOLT(TOSM)方法族
5.3.2 TRL(LRL)方法族
5.3.3 LRM(TRM)方法族
5.3.4 16-SOLT-SVD校準方法
5.3.5 數(shù)據(jù)比對
5.3.6 兩端口去嵌方法比較
5.4 多端口校準方法
5.4.1 多端口矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀基本原理
5.4.2 常見的多端口校準方法
5.4.3 差分參數(shù)校準
5.4.4 多端口去嵌方法
5.5 內(nèi)插算法
5.6 高低溫S參數(shù)校準
5.6.1 校準件參數(shù)動態(tài)補償法
5.6.2 校準件恒溫自校準方法
5.7 源功率校準與接收機功率校準
5.7.1 源功率校準
5.7.2 接收機功率校準
5.8 全自動在片校準與測試
5.9 本章小結(jié)
參考文獻
第6章 校準結(jié)果判斷與不確定度分析
6.1 校準前設(shè)置注意事項
6.1.1 系統(tǒng)連接情況
6.1.2 中頻帶寬
6.1.3 平均次數(shù)影響
6.1.4 數(shù)據(jù)平滑處理
6.1.5 測試功率
6.1.6 衰減器影響
6.1.7 連續(xù)與波脈沖
6.1.8 在片校準特殊注意事項
6.2 校準中注意事項
6.3 校準后結(jié)果工程判斷方法
6.4 校準后結(jié)果定量判斷方法——校準結(jié)果驗證算法
6.5 殘余誤差計算與不確定度分析
6.5.1 殘余誤差計算
6.5.2 不確定度分析
6.6 本章小結(jié)
參考文獻
第7章 校準時問穩(wěn)定性提升方法
7.1 短期漂移
7.2 實例驗證與分析
7.3 本章小結(jié)
參考文獻

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