微電子器件基礎(chǔ)

章 pn結(jié)二極管
1．1 pn結(jié)的形成及平衡狀態(tài)
1．2 pn結(jié)的直流特性
1．3 pn結(jié)空間電荷區(qū)和勢壘電容
1．4 pn結(jié)的小信號交流特性
1．5 pn結(jié)的擊穿特性
1．6 pn結(jié)二極管的開關(guān)特性
1．7 pn結(jié)二極管的其他類型
思考與練習(xí)
第2章 雙極型晶體管的直流特性
2．1 晶體管的基本結(jié)構(gòu)和雜質(zhì)分布
2．2 晶體管的放大機(jī)理
2．3 晶體管的直流伏安特性及電流增益
2．4 晶體管的反向電流及擊穿電壓
2．5 雙極型晶體管的直流特性曲線
2．6 基極電阻
2．7 埃伯爾斯-莫爾（Ebers-Moll)模型
思考與練習(xí)
第3章 雙極型晶體管的頻率特性
3．1 晶體管交流電流放大系數(shù)與頻率參數(shù)
3．2 晶體管交流特性的理論分析
3．3 晶體管的高頻參數(shù)及等效電路
3．4 高頻下晶體管中載流子的輸運(yùn)及中間參數(shù)
3．5 晶體管電流放大系數(shù)的頻率關(guān)系
3．6 晶體管的高頻功率增益和最高振蕩頻率
3．7 工作條件對晶體管fr、Kpm的影響
思考與練習(xí)
第4章 雙極型晶體管的功率特性
4．1 集電極優(yōu)選允許工作電流IcM
4．2 基區(qū)大注人效應(yīng)對電流放大系數(shù)的影響
4．3 有效基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)
4．4 發(fā)射極電流集邊效應(yīng)
4．5 晶體管優(yōu)選耗散功率PcM
4．6 二次擊穿和安全工作區(qū)
思考與練習(xí)
第5章 雙極型晶體管的開關(guān)特性
5．1 開關(guān)晶體管的靜態(tài)特性
5．2 晶體管的開關(guān)過程和開關(guān)時間
5．3 開關(guān)晶體管的正向壓降和飽和壓降
思考與練習(xí)
第6章 結(jié)型柵場效應(yīng)晶體管
6．1 JFET基本結(jié)構(gòu)和工作原理
6．2 JFET的直流特性與低頻小信號參數(shù)
6．3 JFET的交流特性
6．4 JFET的功率特性
6．5 JFET和MESFET結(jié)構(gòu)舉例
思考與練習(xí)
第7章 MOS場效應(yīng)晶體管
7．1 MOSFET基本結(jié)構(gòu)和工作原理
7．2 MOSFET的閾值電壓
7．3 MOSFET的伏安特性和直流特性曲線
7．4 MOSFET的頻率特性
7．5 MOSFET的功率特性和功率MOSFET的結(jié)構(gòu)
7．6 MOSFET的開關(guān)特性
7．7 MOSFET的擊穿特性
7．8 MOSFET的溫度特性
7．9 MOSFET的短溝道和窄溝道效應(yīng)
思考與練習(xí)
第8章 晶體管的噪聲特性
8．1 晶體管的噪聲和噪聲系數(shù)
8．2 晶體管的噪聲源
8．3 pn結(jié)二極管的噪聲
8．4 雙極型晶體管的噪聲特性
8．5 JFET和MESFET的噪聲特性
8．6 MOSFET的噪聲特性
思考與練習(xí)
第9章 其他類型的微電子器件
9．1 晶閘管
9．2 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
9．3 靜電感應(yīng)晶體管
9．4 絕緣柵雙極晶體管
9．5 單結(jié)晶體管
9．6 雙極反型溝道場效應(yīng)晶體管
9．7 穿通型晶體管
附錄
附錄I 常溫下主要半導(dǎo)體的物理性質(zhì)
附錄Ⅱ 常用介質(zhì)膜的物理參數(shù)
附錄Ⅲ 常用物理常數(shù)表
附錄Ⅳ 硅電阻率與雜質(zhì)濃度的關(guān)系(300K)
附錄V 硅中遷移率與雜質(zhì)濃度的關(guān)系
附錄Ⅵ 擴(kuò)散結(jié)勢壘電容和勢壘寬度關(guān)系曲線
附錄VII 硅中擴(kuò)散層平均電導(dǎo)與表面濃度、結(jié)深關(guān)系
附錄VIII 半導(dǎo)體分立器件型號命名法
參考文獻(xiàn)