薄液膜下錫的腐蝕和電化學遷移行為

1 緒論
1．1 引言
1．2 錫的性質及用途
1．3 錫及其合金的腐蝕研究進展
1．3．1 錫及其合金在本體溶液中的腐蝕
1．3．2 錫及其合金的大氣腐蝕
1．4 電化學遷移
1．4．1 電化學遷移的概念及分類
1．4．2 電化學遷移國內外研究現(xiàn)狀
1．4．3 電化學遷移的研究方法
1．4．4 電化學遷移研究的環(huán)境介質
1．4．5 不同材料的電化學遷移行為
1．5 薄液膜下的腐蝕電化學研究
1．5．1 薄液膜下的腐蝕電化學研究現(xiàn)狀
1．5．2 薄液膜下的陰極過程
1．5．3 薄液膜下的陽極過程
1．6 研究目的及意義
1．7 研究內容
1．8 本研究的創(chuàng)新點
參考文獻
2 實驗裝置與測試方法
2．1 引言
2．2 電極材料
2．3 化學試劑和實驗儀器
2．3．1 化學試劑
2．3．2 實驗儀器
2．4 測試方法
2．4．1 陰極極化曲線
2．4．2 電化學阻抗譜
2．4．3 3D顯微鏡原位測試
2．4．4 掃描電子顯微鏡和能譜分析
2．4．5 X射線光電子能譜
2．4．6 電感耦合等離子體質譜
參考文獻
3 薄液膜下錫的腐蝕行為及機理研究
3．1 引言
3．2 實驗部分
3．2．1 電極的制備
3．2．2 薄液膜下的電解池
3．2．3 液膜厚度測量裝置
3．2．4 電化學測試
3．2．5 表面形貌及化學組成測定
3．3 結果
3．3．1 電化學測試結果
3．3．2 腐蝕產(chǎn)物的形貌
3．3．3 腐蝕產(chǎn)物的化學組成
3．4 討論
3．4．1 錫在薄液膜下的腐蝕反應
3．4．2 陰極極化曲線
3．4．3 電化學阻抗譜
3．4．4 錫在薄液膜下的腐蝕機理模型
3．5 本章小結
參考文獻
4 電化學遷移研究新方法的建立
4．1 引言
4．2 實驗部分
4．2．1 實驗材料及試劑
4．2．2 電極的制備
4．2．3 薄液膜法原位研究/實時監(jiān)測系統(tǒng)
4．3 結果
4．3．1 枝晶形貌測定
4．3．2 電極表面pH值分布測定
4．3．3 錫的電化學遷移行為實時監(jiān)測
4．4 討論
4．4．1 薄液膜法的普遍適用性
4．4．2 薄液膜法與水滴實驗法原位圖片效果對比
4．4．3 薄液膜法與水滴實驗法電化學結果重現(xiàn)性對比
4．5 本章小結
參考文獻
5 穩(wěn)態(tài)電場下錫的電化學遷移行為及機理研究
5．1 引言
5．2 實驗部分
5．2．1 實驗材料及試劑
5．2．2 電極系統(tǒng)及實驗裝置
5．2．3 不同液膜厚度下錫的電化學遷移行為測定及表征
5．2．4 不同氯離子濃度、偏壓下錫的電化學遷移行為測試
5．2．5 枝晶和沉淀的微觀形貌測定
5．2．6 沉淀的化學組成測定
5．3 結果
5．3．1 各種液膜厚度下錫的電化學遷移行為
5．3．2 原位觀察錫在不同氯離子濃度和偏壓下的電化學遷移行為
5．3．3 電化學遷移中的電流和短路時間監(jiān)測
5．3．4 枝晶和沉淀的微觀形貌
5．3．5 沉淀的化學組成
5．4 討論
5．4．1 電化學遷移過程中的陽極、陰極反應
5．4．2 沉淀的形成機制
5．4．3 枝晶生長的一般機理
5．4．4 液膜厚度對電化學遷移行為的影響
5．4．5 氯離子濃度對錫的電化學遷移行為的影響及機理
5．4．6 偏壓對錫的電化學遷移行為的影響及機理
5．5 本章小結
參考文獻
6 非穩(wěn)態(tài)電場下錫的電化學遷移行為及機理研究
6．1 引言
6．2 實驗部分
6．2．1 實驗材料及試劑
6．2．2 電極系統(tǒng)及實驗裝置
6．2．3 方波類型及電化學遷移行為測試
6．3 結果
6．3．1 原位觀察單向方波電場下錫的電化學遷移行為
6．3．2 單向方波電場下電流一時間曲線及短路時間
6．3．3 原位觀察雙向方波電場下錫的電化學遷移行為
6．3．4 雙向方波電場下電流一時間曲線
6．4 討論
6．4．1 方波電場下涉及的化學/電化學反應
6．4．2 0FF time期間的反向極化及其影響
6．4．3 占空比對電化學遷移行為的影響
6．4．4 周期對電化學遷移行為的影響
6．4．5 極化方向對電化學遷移行為的影響
6．5 本章小結
參考文獻
7 錫、銀、銅在無鉛焊料電化學遷移中的作用
7．1 引言
7．2 實驗部分
7．2．1 實驗材料
7．2．2 實驗溶液
7．2．3 電極系統(tǒng)及實驗裝置
7．2．4 電化學遷移及其檢測實驗
7．3 結果
7．3．1 溶液離子成分
7．3．2 枝晶成分
7．4 討論
7．5 本章小結
參考文獻
8 總結與展望
8．1 總結
8．2 前景展望
彩圖