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當(dāng)前位置: 首頁出版圖書科學(xué)技術(shù)工業(yè)技術(shù)金屬學(xué)、金屬工藝碳化硅技術(shù)基本原理:生長、表征、器件和應(yīng)用

碳化硅技術(shù)基本原理:生長、表征、器件和應(yīng)用

碳化硅技術(shù)基本原理:生長、表征、器件和應(yīng)用

定 價(jià):¥150.00

作 者: (日)木本恒暢,(美)詹姆士 A. 庫珀
出版社: 機(jī)械工業(yè)出版社
叢編項(xiàng):
標(biāo) 簽: 暫缺

ISBN: 9787111586807 出版時(shí)間: 2018-05-01 包裝:
開本: 16開 頁數(shù): 499 字?jǐn)?shù):  

內(nèi)容簡介

  本書是一本有關(guān)碳化硅材料、器件工藝、器件和應(yīng)用方面的書籍,其主題包括碳化硅的物理特性、晶體和外延生長、電學(xué)和光學(xué)性能的表征、擴(kuò)展缺陷和點(diǎn)缺陷,器件工藝、功率整流器和開關(guān)器件的設(shè)計(jì)理念,單/雙極型器件的物理和特征、擊穿現(xiàn)象、高頻和高溫器件,以及碳化硅器件的系統(tǒng)應(yīng)用,涵蓋了基本概念和新發(fā)展現(xiàn)狀,并針對每個(gè)主題做深入的闡釋,包括基本的物理特性、新的理解、尚未解決的問題和未來的挑戰(zhàn)。

作者簡介

  本書的作者TsunenobuKimoto是京都大學(xué)電子科學(xué)與工程系的一名教授,長期 從事碳化硅材料、表征、器件工藝以及功率器件等方面的研究,是日本碳化硅界的 領(lǐng)軍人物,在碳化硅的外延生長、光學(xué)和電學(xué)特性表征、缺陷電子學(xué)、離子注入、 金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS) 物理和高電壓器件等方面均有建樹。 而另一位作 者,美國普渡大學(xué)電氣與計(jì)算機(jī)工程學(xué)院的JamesACooper則是一位半導(dǎo)體界的元 老級人物,他在MOS器件、IC及包括硅和碳化硅在內(nèi)的功率器件方面都有研究和 建樹,特別是碳化硅基UMOSFET、肖特基二極管、UMOSFET、橫向DMOSFET、 BJT和IGBT等的開發(fā)做出了突出貢獻(xiàn)。

圖書目錄

譯者序
原書前言
原書作者簡介
第1章 導(dǎo)論1
?。?1 電子學(xué)的進(jìn)展1
?。?2 碳化硅的特性和簡史3  
?。?2.1 早期歷史3
  1.2.2?。樱椋镁w生長的革新4
  1.2.3?。樱椋霉β势骷那熬昂驼故荆?
 1.3 本書提綱6  參考文獻(xiàn)7
第2章 碳化硅的物理性質(zhì)10
第3章 碳化硅晶體生長36
第4章 碳化硅外延生長70
第5章 碳化硅的缺陷及表征技術(shù)117
第6章 碳化硅器件工藝177
第7章 單極型和雙極型功率二極管262
第8章 單極型功率開關(guān)器件286
第9章 雙極型功率開關(guān)器件336
?。?1 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 336
  9.1.1 內(nèi)部電流337
 ?。?1.2 增益參數(shù)338
 ?。?1.3 端電流340
 ?。?1.4 電流-電壓關(guān)系341
 ?。?1.5 集電區(qū)中的大電流效應(yīng):飽和和準(zhǔn)飽和343
  9.1.6 基區(qū)中的大電流效應(yīng):Rittner效應(yīng)347
 ?。?1.7 集電區(qū)的大電流效應(yīng):二次擊穿和基區(qū)擴(kuò)散效應(yīng)351
  9.1.8 共發(fā)射極電流增益:溫度特性353
 ?。?1.9 共發(fā)射極電流增益:復(fù)合效應(yīng)353
  9.1.10 阻斷電壓355
?。?2 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 356
 ?。?2.1 電流-電壓關(guān)系357
 ?。?2.2 阻斷電壓367
 ?。?2.3 開關(guān)特性368
 ?。?2.4 器件參數(shù)的溫度特性373
 9.3 晶閘管375
 ?。?3.1 正向?qū)J剑常罚?
 ?。?3.2 正向阻斷模式和觸發(fā)381
  9.3.3 開通過程386
 ?。?3.4?。洌郑洌粲|發(fā)388
 ?。?3.5 dI/dt的限制389
 ?。?3.6 關(guān)斷過程390
  9.3.7 反向阻斷模式397
 參考文獻(xiàn)397
第10章 功率器件的優(yōu)化和比較398
第11章 碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用425
第12章 專用碳化硅器件及應(yīng)用466
附錄490
 附錄A?。矗龋樱椋弥械牟煌耆s質(zhì)電離490
 參考文獻(xiàn)494
 附錄B 雙曲函數(shù)的性質(zhì)494
 附錄C 常見SiC多型體主要物理性質(zhì)497
 ?。?1 性質(zhì)497  
 C.2 主要物理性質(zhì)的溫度和/或摻雜特性498
 參考文獻(xiàn)499

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